İçindekiler:
- Tanım - Dinamik Rasgele Erişim Belleği (DRAM) ne anlama geliyor?
- Techopedia, Dinamik Rasgele Erişim Belleğini (DRAM) açıklıyor
Tanım - Dinamik Rasgele Erişim Belleği (DRAM) ne anlama geliyor?
Dinamik rasgele erişim belleği (DRAM), hesaplama aygıtlarında (özellikle PC'ler) kullanılan bir tür rasgele erişimli bellektir. DRAM, her veri bitini, entegre bir devre kartı içindeki ayrı bir pasif elektronik bileşende saklar. Her elektrikli bileşenin bir bitte 0 ve 1 adı verilen iki değer durumu vardır. Bu kapasitörün sık sık yenilenmesi gerekir, aksi takdirde bilgi kaybolur. DRAM, 6 transistör gerektiren statik rasgele erişim belleğinin (SRAM) aksine bir bitlik ve bir bit başına bir transistöre sahiptir. Kullanılan kapasitörler ve transistörler son derece küçüktür. Tek bir bellek yongasına uyan milyonlarca kapasitör ve transistör vardır.
Techopedia, Dinamik Rasgele Erişim Belleğini (DRAM) açıklıyor
DRAM dinamik bellektir ve SRAM statik bellektir. Bir devre kartındaki DRAM yongalarının her birkaç milisaniyede bir yenilenmesi gerekir. Bu, verileri modüle yeniden yazarak yapılır. Yenilenmesi gereken yongalar kalıcı bellektir. DRAM belleğe doğrudan erişir, belleği kısa bir süre tutar ve güç kapatıldığında verilerini kaybeder. SRAM, statik olan ve yenilenmesi gerekmeyen geçici bir bellektir. SRAM çok daha hızlı olduğu için yazmaçlarda ve önbellekte kullanılır. SRAM verileri tutar ve DRAM'den daha yüksek hızlarda çalışır. SRAM daha hızlı olmasına rağmen, DRAM anakartta daha sık kullanılır, çünkü üretimi çok daha ucuzdur.
Bellek yongaları içeren üç ana devre kartı tipi, çift sıralı bellek modülleri (DIMM'ler), tek sıralı bellek modülleri (SIMM'ler) ve Rambus sıralı bellek modülleridir (RIMM'ler). Bugün anakartların çoğu DIMM kullanıyor. DRAM için modül yenileme hızı birkaç milisaniyede bir (saniyenin 1 / 1000'i). Bu yenileme, anakartın yonga setinde bulunan bellek denetleyicisi tarafından yapılır. Yenileme mantığı otomatik yenileme için kullanıldığından, bir DRAM devre kartı oldukça karmaşıktır. Yenileme için kullanılan farklı sistemler vardır, ancak tüm yöntemler bir sonraki yenilenmesi gereken satırı takip etmek için bir sayaç gerektirir. DRAM hücreleri, tipik olarak 1024 x 1024 hücre olmak üzere kare bir kapasitör koleksiyonunda düzenlenir. Bir hücre “okuma” durumundayken tüm satır okunur ve yenileme geri yazılır. “Yazma” durumundayken, tüm satır “okunur”, bir değer değiştirilir ve ardından tüm satır yeniden yazılır. Sisteme bağlı olarak, bir sayaç içeren DRAM yongaları bulunurken, diğer sistemler bir sayaç içeren bir çevresel yenileme mantığına güvenir. DRAM'ın erişim süresi 60 nanosaniyedir, SRAM ise 10 nanosaniye kadar düşük olabilir. Ayrıca, DRAM'ın döngü süresi SRAM'lardan çok daha uzundur. Erişim ve yenileme arasında durması gerekmediği için SRAM'ın döngü süresi daha kısadır.
