İçindekiler:
- Tanım - Dirençli Rasgele Erişim Belleği (ReRAM) ne anlama geliyor?
- Techopedia Dirençli Rasgele Erişim Belleğini (ReRAM) açıklıyor
Tanım - Dirençli Rasgele Erişim Belleği (ReRAM) ne anlama geliyor?
Dirençli Rasgele Erişim Belleği (RRAM / ReRAM) uçucu olmayacak şekilde tasarlanmış yeni bir bellek türüdür. Birkaç şirket tarafından geliştirilme aşamasındadır ve bazıları teknolojinin kendi versiyonlarını patent almıştır. Bellek, direnci uygulanan gerilime bağlı olarak değişen bir memresistor (bellek direnci) adı verilen özel dielektrik malzemenin direncini değiştirerek çalışır.
Techopedia Dirençli Rasgele Erişim Belleğini (ReRAM) açıklıyor
RRAM, kalıcı olarak hasar görmeyen ve dielektrik arıza meydana geldiğinde başarısız olan yeni bir tür dielektrik malzemenin sonucudur; bir memresistor için, dielektrik arıza geçici ve geri dönüşümlüdür. Bir memresiste voltaj kasıtlı olarak uygulandığında, malzemede filaman adı verilen mikroskobik iletken yollar oluşturulur. Filamanlara metal göçü veya hatta fiziksel kusurlar gibi olaylar neden olur. Filamentler farklı harici voltajlar uygulanarak kırılabilir ve ters çevrilebilir. Dijital verilerin depolanmasına izin veren büyük miktarlarda filamanların oluşturulması ve imhasıdır. Memresisite özelliklerine sahip malzemeler arasında titanyum ve nikel oksitleri, bazı elektrolitler, yarı iletken malzemeler ve hatta birkaç organik bileşik bile bu özelliklere sahip olduğu test edilmiştir.
RRAM'ın diğer uçucu olmayan teknolojilere göre temel avantajı yüksek anahtarlama hızıdır. Memresislerin inceliği nedeniyle, yüksek depolama yoğunluğu, daha yüksek okuma ve yazma hızları, daha düşük güç kullanımı ve flash bellekten daha ucuz maliyet için büyük bir potansiyele sahiptir. Flash bellek, malzemelerin sınırları nedeniyle ölçeklenmeye devam edemez, bu nedenle RRAM yakında flash belleğin yerini alacaktır.
